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隔离式栅极驱动器的应考虑负载
2021-11-10 来源: 手机买球APP平台(中国)科技有限公司
MOSFET/IGBT的栅极充电或放电所需的时间决定了器件的开关速度。实际使用中会增加一个外部串联栅极电阻,以便调节栅极电压的上升/下降时间,并可以限制栅极驱动器IC的功耗。将功率器件建模为一个电容和带MOSFET输出级的栅极驱动器,并通过外部串联栅极电阻运行,我们便得到图3所示的RC电路。在此简化模型中,峰值拉电流方程为IPK_SRC = VDD/(RDS(ON)_P + REXT),峰值灌电流方程为IPK_SNK = VDD/(RDS(ON)_N + REXT)。对于短路峰值电流测量, REXT设置为0Ω,但在应用中,存在一个外部串联电阻。
其中:
RDS(ON)_N 为栅极驱动器NMOS的导通电阻。
RDS(ON)_P 为栅极驱动器PMOS的导通电阻。
REXT为外部串联栅极电阻。
CGATE_EQUIV 为功率器件的等效电容。
上一条: 峰值电流在栅极驱动器数据手册中的含义
下一条: 隔离式栅极驱动器的应用示例
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